Samsung và SK hynix nâng cấp nhà máy NAND tại Trung Quốc, ứng phó nhu cầu AI và sức ép từ YMTC

Samsung hướng tới sản xuất NAND 286 lớp tại Tây An, SK hynix nâng cấp nhà máy ở Đại Liên lên 240 lớp, trong bối cảnh nhu cầu SSD cho máy chủ AI tăng mạnh và đối thủ Trung Quốc thu hẹp khoảng cách công nghệ.

Samsung Electronics và SK hynix đang thúc đẩy nâng cấp công nghệ tại các nhà máy sản xuất bộ nhớ flash NAND ở Trung Quốc, bất chấp những hạn chế của Mỹ đối với việc xuất khẩu thiết bị bán dẫn. Nhu cầu lưu trữ dữ liệu cho các trung tâm dữ liệu trí tuệ nhân tạo (AI) tăng nhanh, cùng sức ép cạnh tranh từ nhà sản xuất Trung Quốc Yangtze Memory Technologies (YMTC), khiến hai tập đoàn Hàn Quốc cần củng cố năng lực cạnh tranh tại các cơ sở hiện có.

Theo Reuters ngày 21/10, Samsung đang chuyển đổi dây chuyền sản xuất NAND với công nghệ khoảng 200 lớp tại nhà máy Tây An sang sản xuất V-NAND thế hệ thứ 9 với 286 lớp. Công ty đặt mục tiêu đạt sản lượng 5.000 tấm wafer mỗi tháng vào tháng 12 năm nay, trước khi nâng lên 40.000 tấm mỗi tháng vào cuối năm 2027. Nhà máy Tây An hiện đảm nhiệm khoảng 40% tổng sản lượng NAND của Samsung, đóng vai trò quan trọng trong hoạt động sản xuất bộ nhớ của tập đoàn.

Trong khi đó, SK hynix đang xúc tiến nâng cấp công nghệ NAND tại nhà máy Đại Liên, từ mức 192 lớp hiện nay lên 240 lớp trở lên. Cơ sở này được SK hynix tiếp quản khi mua lại mảng kinh doanh NAND của Intel vào năm 2021, hiện sản xuất NAND phục vụ các dòng ổ cứng thể rắn (SSD) dành cho doanh nghiệp của công ty con Solidigm.

Cả hai doanh nghiệp đều tập trung cải tiến dây chuyền hiện hữu để sản xuất các sản phẩm tiên tiến hơn, thay vì khôi phục những nhà máy đã ngừng hoạt động.

◆ Nhu cầu SSD tăng, YMTC gia tăng sức ép

Động lực chính thúc đẩy kế hoạch nâng cấp là tình trạng nguồn cung NAND ngày càng căng thẳng do sự mở rộng của các trung tâm dữ liệu AI. Số lượng máy chủ AI tăng kéo theo nhu cầu SSD dung lượng lớn phục vụ lưu trữ dữ liệu doanh nghiệp.

Theo dự báo của công ty nghiên cứu thị trường TrendForce, nhu cầu NAND tính theo dung lượng bit của phân khúc SSD doanh nghiệp sẽ tăng hơn 80% trong năm nay so với năm trước. Giá hợp đồng NAND trong quý IV cũng được dự báo tăng 15–20% so với quý III.

Cạnh tranh từ YMTC cũng là yếu tố khiến các doanh nghiệp Hàn Quốc đẩy nhanh quá trình nâng cấp. Theo công ty nghiên cứu thị trường Omdia, thị phần NAND của YMTC tại Trung Quốc tăng từ 28% năm ngoái lên 38,5% trong quý II năm nay, vượt Samsung Electronics. Trong cùng kỳ, thị phần của Samsung giảm từ 36% xuống 33,5%, còn SK hynix giảm từ 20% xuống 17%.

YMTC hiện đã sản xuất một số sản phẩm NAND 294 lớp, qua đó thu hẹp khoảng cách công nghệ với các đối thủ Hàn Quốc.

Việc nâng cấp các nhà máy hiện có tại Trung Quốc giúp Samsung và SK hynix tận dụng cơ sở hạ tầng đã đầu tư, giảm gánh nặng tài chính so với xây dựng nhà máy mới. Công nghệ NAND xếp chồng nhiều lớp hơn cũng cho phép lưu trữ nhiều dữ liệu hơn trên cùng diện tích, qua đó tạo dư địa cải thiện hiệu quả sản xuất và giảm chi phí.

◆ Quy định xuất khẩu của Mỹ vẫn là trở ngại

Tuy nhiên, các hạn chế xuất khẩu thiết bị bán dẫn của Mỹ sang Trung Quốc vẫn là biến số lớn đối với kế hoạch của hai tập đoàn Hàn Quốc. Năm ngoái, Mỹ cho biết sẽ cho phép đưa thiết bị vào Trung Quốc để duy trì hoạt động của các nhà máy hiện hữu, nhưng không cấp phép cho những hoạt động nhằm nâng cấp công nghệ hoặc mở rộng năng lực sản xuất.

Samsung và SK hynix cho biết với Reuters rằng hai công ty đang phối hợp chặt chẽ với chính phủ Mỹ trong quá trình cải tiến thiết bị tại các nhà máy ở Trung Quốc.

Samsung khẳng định kế hoạch nâng cấp được thực hiện trong phạm vi tuân thủ các quy định xuất khẩu của Mỹ, không liên quan đến việc mở rộng công suất hay xây dựng nhà máy mới.

Theo Reuters, SK hynix đã được cấp phép sản xuất NAND với công nghệ lên tới 240 lớp tại nhà máy Đại Liên. Công ty cũng đang cân nhắc xin cấp phép bổ sung cho hoạt động nghiên cứu và phát triển các sản phẩm trên 300 lớp. Tuy nhiên, hiện chưa rõ Samsung và SK hynix đã được cấp phép xuất khẩu thiết bị đến mức độ nào để triển khai toàn bộ kế hoạch nâng cấp.