Dự báo hiệu suất hạ tầng AI năm 2030 sẽ tăng gấp 20 lần, K-điện tử tự tin vào chu kỳ siêu vòng đời

Sự phát triển của ngành công nghiệp bán dẫn trong nước được dự báo sẽ kéo dài nhờ vào việc mở rộng đầu tư vào trí tuệ nhân tạo (AI). Nhu cầu về AI đang gia tăng nhanh chóng, dẫn đến sự phát triển mạnh mẽ của thị trường bộ nhớ hiệu suất cao, bao gồm bộ nhớ băng thông cao (HBM). Đồng thời, cuộc cạnh tranh phát triển công nghệ thế hệ tiếp theo giữa các công ty bán dẫn trong nước cũng đang diễn ra để đối phó với sự theo đuổi công nghệ từ Trung Quốc.

Chủ tịch SK Hynix Ahn Hyun đã dự báo trong bài phát biểu khai mạc tại hội nghị SEDEX 2026 diễn ra tại COEX, Gangnam vào ngày 14 tháng 10 rằng "hiệu suất hạ tầng AI sẽ tăng gấp khoảng 20 lần vào năm 2030 so với năm nay".

Ông Ahn cho biết nhu cầu về bộ nhớ đang gia tăng do độ phức tạp trong công việc và khối lượng thông tin cần xử lý của AI đang tăng lên. Đặc biệt, việc lưu trữ và tái sử dụng thông tin mà AI xử lý thông qua 'KV cache' đang làm tăng sự di chuyển dữ liệu giữa HBM, DRAM và ổ đĩa thể rắn (SSD), tạo ra một điểm nghẽn hiệu suất mới.

Để đáp ứng nhu cầu này, SK Hynix đang mở rộng HBM tùy chỉnh, đồng thời phát triển bộ nhớ băng thông cao (HBF) với dung lượng mục tiêu gấp 10 lần HBM và DRAM 3D chồng lên trên vi mạch tính toán. Ông Ahn cho biết: "Mặc dù HBM tiêu chuẩn và HBM tùy chỉnh sẽ được phát triển song song, nhưng về lâu dài, sản phẩm tùy chỉnh sẽ được mở rộng hơn".

Ngoài ra, sự theo đuổi công nghệ bộ nhớ của Trung Quốc cũng là một yếu tố cạnh tranh đối với các công ty trong nước. Công ty công nghệ bộ nhớ Trung Quốc Changxin Memory Technologies (CXMT) đã thông báo sẽ áp dụng công nghệ '4F²' cho DRAM thế hệ tiếp theo dành cho máy chủ. 4F² là công nghệ giúp giảm diện tích ô DRAM, cho phép lưu trữ nhiều dữ liệu hơn trong cùng một không gian.
Trong sự kiện này, Giám đốc công nghệ Samsung Electronics Song Jae-hyuk đã xác nhận với phóng viên về việc phát triển công nghệ 4F², trả lời rằng "đúng vậy". Tuy nhiên, ông đã giữ kín thông tin về tiến độ phát triển, chỉ nói rằng "chúng tôi đang làm việc chăm chỉ". Trước đó, Samsung Electronics và SK Hynix cũng đã nghiên cứu công nghệ này nhưng chưa áp dụng vào sản xuất hàng loạt do vấn đề chi phí. Trong bối cảnh tốc độ phát triển công nghệ của Trung Quốc gia tăng, các công ty trong nước cũng đang tập trung vào việc đảm bảo công nghệ bộ nhớ thế hệ tiếp theo.

Trong khi đó, cả hai công ty đã công bố công nghệ bán dẫn AI thế hệ tiếp theo và chiến lược kinh doanh của họ tại triển lãm.

Samsung Electronics đã nhấn mạnh năng lực tổng hợp trong ngành bán dẫn, từ bộ nhớ đến sản xuất chip và đóng gói tiên tiến. Họ đã giới thiệu HBM4E thế hệ tiếp theo, chip cơ sở HBM4E dựa trên quy trình 4nm, và công nghệ bộ nhớ 3D zHBM như một giải pháp tích hợp cho bán dẫn AI. Tại khu vực 'Cụm công nghiệp bán dẫn' mới thành lập, họ đã công bố kế hoạch mở rộng cơ sở hạ tầng và các điểm sản xuất chính như Khu công nghiệp quốc gia Yongin. Samsung dự kiến sẽ đầu tư khoảng 360 triệu USD vào khu công nghiệp này, bắt đầu xây dựng vào năm 2027 và mục tiêu đưa dây chuyền sản xuất đầu tiên vào hoạt động vào tháng 10 năm 2029.

SK Hynix đã tập trung vào công nghệ bộ nhớ AI dựa trên HBM và hợp tác với NVIDIA. Tại gian hàng lớn nhất trong triển lãm, họ đã trưng bày mô hình cấu trúc HBM và HBF, DRAM hiệu suất cao cho máy chủ AI, và SSD cho doanh nghiệp. Đặc biệt, họ đã nhấn mạnh mối quan hệ hợp tác với NVIDIA thông qua chip siêu mạnh 'Vera Rubin' và wafer HBM có chữ ký của Giám đốc điều hành Jensen Huang. Họ cũng đã giới thiệu nhiều sản phẩm bộ nhớ khác nhau như 256GB 3DS RDIMM cho máy chủ và LPDDR6 cho thiết bị di động.