Chủ tịch SK Hynix An Hyun: Thời đại AI cần một lớp bộ nhớ mới vượt qua HBM

SK Hynix đã cụ thể hóa chiến lược công nghệ nhằm nhắm đến thị trường bộ nhớ thế hệ tiếp theo, vượt qua bộ nhớ băng thông cao (HBM). Sự phát triển nhanh chóng của thị trường suy diễn AI đã khiến việc di chuyển dữ liệu giữa các bộ nhớ trở thành một nút thắt mới, và công ty dự định tiếp tục dẫn đầu thị trường bán dẫn AI thông qua HBM tùy chỉnh, bộ nhớ băng thông cao (HBF) và DRAM xếp chồng ba chiều.

Chủ tịch SK Hynix An Hyun (CDO) đã nhấn mạnh trong bài phát biểu khai mạc tại SEDEX 2026 diễn ra sáng ngày 14 tháng 10 tại Gangnam, Seoul rằng: "Để đảm bảo sự phát triển bền vững của hạ tầng AI, cần phải tối ưu hóa toàn bộ lớp bộ nhớ, không chỉ cải thiện hiệu suất của từng bộ nhớ riêng lẻ".

Trong bài phát biểu với chủ đề "Hướng đi của công nghệ bộ nhớ trong thời đại AI", ông An đã chỉ ra rằng nhu cầu suy diễn AI đang tăng nhanh, làm lộ rõ những hạn chế của cấu trúc bộ nhớ hiện tại. Ông dự đoán rằng quy mô hạ tầng AI sẽ tăng gấp 19 lần so với năm nay vào năm 2030, do sự gia tăng đồng thời về độ phức tạp của mô hình AI, khối lượng thông tin cần xử lý và số lượng yêu cầu suy diễn.

Ông An cho rằng, trong khi trước đây, sự chênh lệch tốc độ giữa bộ xử lý và bộ nhớ là vấn đề, thì trong tương lai, việc di chuyển dữ liệu giữa các lớp bộ nhớ khác nhau như HBM, DRAM và ổ đĩa thể rắn (SSD) sẽ trở thành nút thắt mới. Do đó, cần nâng cao hiệu suất của bộ nhớ hiện tại đồng thời giới thiệu công nghệ bộ nhớ mới giữa các lớp.

Trước tiên, HBM sẽ được phát triển thành sản phẩm tùy chỉnh, thiết kế theo yêu cầu của từng hệ thống AI của khách hàng. SK Hynix đang phát triển các sản phẩm thế hệ tiếp theo như HBM4E và HBM5, đồng thời chuẩn bị HBM tùy chỉnh với các chức năng mà khách hàng yêu cầu được tích hợp vào die cơ sở.

Ông An cho biết: "Mặc dù HBM tiêu chuẩn và HBM tùy chỉnh sẽ đồng hành cùng nhau, nhưng về lâu dài, xu hướng tùy chỉnh sẽ ngày càng mở rộng" và khẳng định rằng công ty đã chuẩn bị nhiều công nghệ cốt lõi để đáp ứng đủ nhu cầu của khách hàng.

Về công nghệ sau HBM, ông đã đề xuất HBF và DRAM xếp chồng ba chiều. HBF là bộ nhớ thế hệ tiếp theo áp dụng công nghệ xếp chồng của HBM vào NAND flash. SK Hynix đặt mục tiêu phát triển HBF với băng thông truyền dữ liệu chỉ bằng một nửa so với HBM cùng thế hệ nhưng có dung lượng lưu trữ gấp hơn 10 lần.

Việc chuẩn hóa HBF cũng đang được đẩy nhanh. SK Hynix đã hợp tác với các đối tác toàn cầu như SanDisk và Google để công bố các tiêu chuẩn ban đầu tại Open Compute Project (OCP) vào tháng 7 năm nay và dự kiến sẽ hoàn thiện các tiêu chuẩn cuối cùng vào tháng 1 năm sau. Ông An nhấn mạnh: "Việc các khách hàng và đối tác cùng nhau xác định tiêu chuẩn và xây dựng hệ sinh thái là điều cần thiết trong thời đại AI".

DRAM xếp chồng ba chiều là công nghệ xếp chồng DRAM trực tiếp lên các bán dẫn xử lý đồ họa (GPU). Mục tiêu là mở rộng hàng chục lần kết nối đầu vào và đầu ra so với HBM hiện tại, nhằm nâng cao hiệu suất truyền dữ liệu và giảm tiêu thụ điện năng.

Công nghệ SSD doanh nghiệp thế hệ tiếp theo mang tên 'Storage-Next' cũng đang được phát triển. Công nghệ này tái thiết kế cấu trúc NAND và bộ điều khiển để nâng cao hiệu suất xử lý đầu vào và đầu ra gấp 4 đến 8 lần so với hiện tại, và đang được phát triển cùng với các khách hàng.

Ông An cho biết: "Chúng tôi không chỉ xem bộ nhớ như một linh kiện đơn lẻ" và khẳng định rằng, vì mỗi khách hàng có yêu cầu công nghệ khác nhau, công ty sẽ dẫn dắt sự phát triển bền vững của hệ sinh thái AI thông qua các giải pháp bộ nhớ mới."



* Bài viết này được dịch tự động bằng AI.

• #Chủ tịch An Hyun
• #HBM
• #SK Hynix