Thứ Ba, ngày 13 tháng 11 năm 2026
[Đầu tư 392 nghìn tỷ vào khu vực Chungcheong] Sản xuất tại Pyeongtaek và lắp ráp tại Onyang… Samsung mở rộng sản xuất chip AI

[Đầu tư 392 nghìn tỷ vào khu vực Chungcheong] Sản xuất tại Pyeongtaek và lắp ráp tại Onyang… Samsung mở rộng sản xuất chip AI

SEONGJUN JO 18:04 12-11-2026
Phát triển quy trình thế hệ tiếp theo tại Giheung và sản xuất hàng loạt tại Hwaseong, Pyeongtaek… Kế hoạch xây dựng nhà máy thứ hai tại Gwangju Thêm dây chuyền lắp ráp tại Onyang cho thiết bị tích hợp tại Cheonan… Xây dựng dây chuyền hậu xử lý HBM giữa vùng đô thị và Honam
Chủ tịch Samsung Electronics Lee Jae-yong phát biểu tại buổi lễ khởi công xây dựng nhà máy tại khuôn viên Onyang, tỉnh Chungcheong vào ngày 12 tháng 11. Ảnh: Yonhap News
Chủ tịch Samsung Electronics Lee Jae-yong phát biểu tại buổi lễ khởi công xây dựng nhà máy tại khuôn viên Onyang, tỉnh Chungcheong vào ngày 12 tháng 11. [Ảnh: Yonhap News]

Samsung Electronics đã tổ chức lễ khởi công cho dây chuyền lắp ráp bộ nhớ băng thông cao (HBM) thứ năm tại khuôn viên Onyang, tỉnh Chungcheong vào ngày 12 tháng 11, đồng thời bắt đầu xây dựng cơ sở hậu xử lý kết nối giữa việc tăng cường sản xuất DRAM cho HBM tại Pyeongtaek và nhà máy mới tại Gwangju. Công ty dự kiến sẽ kết hợp cơ sở lắp ráp và kiểm tra tại Onyang với thiết bị tích hợp HBM tại Cheonan, nhằm hoàn thiện chip tại khu vực Chungcheong. Điều này sẽ tạo ra một dây chuyền sản xuất chip trải dài từ vùng đô thị đến Honam.

Theo thông tin từ chính quyền và ngành công nghiệp vào ngày 12 tháng 11, lý do Samsung chọn Onyang là vì đây là nơi đã hoạt động trong lĩnh vực lắp ráp và kiểm tra chip từ năm 1991. Gần đó, Cheonan đã có sẵn cơ sở sản xuất HBM và công nghệ đóng gói cấp wafer (WLP), giúp tập trung công nghệ và nhân lực cần thiết để biến chip đã qua xử lý thành sản phẩm có thể xuất xưởng.

Một ví dụ điển hình cho sự phân chia công việc này là HBM4. HBM4 của Samsung bao gồm chip DRAM thế hệ thứ sáu (1c) với kích thước 10nm để lưu trữ dữ liệu và một die logic điều khiển tín hiệu với kích thước 4nm. Dây chuyền lắp ráp là nơi các chip được sản xuất từ quy trình bộ nhớ và quy trình gia công được kết hợp thành một sản phẩm. Ngành công nghiệp cho rằng, mặc dù sản lượng DRAM tại Pyeongtaek tăng lên, nhưng cần có thiết bị để lắp ráp và kiểm tra chip nhằm đáp ứng nhu cầu HBM của khách hàng. Đây là lý do tại sao đầu tư vào quy trình trước tại vùng đô thị và đầu tư vào quy trình hậu tại Chungcheong lại bổ sung cho nhau.

Các nhà máy tại vùng đô thị cũng có vai trò riêng biệt. Tại Giheung, Samsung đang phát triển quy trình thế hệ tiếp theo và dự kiến sẽ đầu tư 20 nghìn tỷ won vào khu nghiên cứu và phát triển tích hợp tại đây đến năm 2030. Tại Hwaseong, có dây chuyền sản xuất DRAM và nhà máy gia công sử dụng công nghệ chiếu xạ cực tím (EUV), trong khi Pyeongtaek đảm nhận sản xuất hàng loạt bộ nhớ và gia công tiên tiến. Đặc biệt, dây chuyền thứ tư tại Pyeongtaek đang mở rộng năng lực sản xuất DRAM 1c cho HBM4.

Thời gian mở rộng của Pyeongtaek và Onyang cũng được đồng bộ hóa. Samsung dự kiến sẽ đưa dây chuyền thứ năm tại khu vực Pyeongtaek vào hoạt động vào năm 2028, trong khi dây chuyền thứ năm tại Onyang có mục tiêu hoạt động vào tháng 6 năm 2028, sớm hơn khoảng một năm so với dự kiến ban đầu. Samsung cho biết khoản đầu tư 46 nghìn tỷ won cho Onyang không chỉ là chi phí xây dựng một nhà máy mà là khoản đầu tư dài hạn để trang bị năm dây chuyền sản xuất HBM tại khuôn viên, trong đó 40 nghìn tỷ won sẽ được sử dụng cho thiết bị.

Khu vực mở rộng tiếp theo cho quy trình trước tại vùng đô thị sẽ là quận Cheoin, thành phố Yongin. Samsung dự kiến sẽ xây dựng sáu nhà máy tại khu công nghiệp quốc gia cho hệ thống bán dẫn tiên tiến, với mục tiêu đưa dây chuyền sản xuất đầu tiên vào hoạt động vào tháng 10 năm 2029. Đầu tư vào Honam được cho là một quyết định nhìn xa hơn cho tương lai. Vào tháng 6, Samsung đã công bố kế hoạch đầu tư 400 nghìn tỷ won để xây dựng hai nhà máy mới tại Gwangju. Khi đó, phó chủ tịch cho biết nhà máy Pyeongtaek đang trong giai đoạn hoàn thiện và lịch trình đầu tư vào khu công nghiệp quốc gia Yongin cũng đang được đẩy nhanh, do đó thời điểm chuẩn bị cho khu vực mới đã được rút ngắn lại.

Hai nhà máy tại Gwangju sẽ là cơ sở sản xuất quy trình trước, nơi tạo ra các mạch trên wafer. Theo kế hoạch của Samsung, không gian sản xuất chip sẽ mở rộng từ phía nam tỉnh Gyeonggi đến Honam. Trong khi đó, tại Chungcheong, công ty sẽ tận dụng các cơ sở hiện có để mở rộng quy mô và chức năng của quy trình hậu xử lý tiên tiến. Cheonan sẽ hiện đại hóa và mở rộng thiết bị đáp ứng HBM, trong khi Onyang sẽ chuyển trọng tâm từ lắp ráp và kiểm tra bán dẫn thông thường sang lắp ghép bộ nhớ hiệu suất cao. Ngành công nghiệp cho rằng ý nghĩa của Chungcheong không chỉ nằm ở vị trí địa lý giữa hai khu vực mà còn ở việc sản phẩm hoàn thiện tại đây sẽ khác biệt.

Lee Jae-yong, Chủ tịch Samsung Electronics, đã nhấn mạnh tại buổi lễ khởi công rằng: "Samsung Electronics sẽ tiếp tục thúc đẩy các dự án mega tại Chungcheong, cũng như các khu vực Honam và Yeongnam với trách nhiệm lớn hơn, nhằm tạo ra một huyền thoại thành công không thể thay thế cho Hàn Quốc."



* Bài viết này được dịch tự động bằng AI.