Theo báo cáo từ China Securities Journal vào ngày 12 tháng 10, ông Triệu Khảm Vũ (Cao Kan Yu), Giám đốc điều hành của CXMT, đã thông báo tại một hội nghị ngành vào ngày 10 tháng 10 rằng công ty sẽ ra mắt sản phẩm bộ nhớ DDR5 RDIMM cho máy chủ áp dụng kiến trúc 4F² vào cuối năm nay. RDIMM là bộ đệm phần cứng giữ tín hiệu từ bộ xử lý trung tâm trong một chu kỳ đồng hồ chính xác. Kiến trúc 4F² là công nghệ thiết kế D램 thế hệ mới giúp giảm diện tích ô nhớ, tăng mật độ tích hợp. So với cấu trúc 6F² hiện tại, 4F² cho phép bố trí ô nhớ trên diện tích nhỏ hơn, từ đó tăng dung lượng lưu trữ trên mỗi chip. Ông Triệu cho biết CXMT sẽ sử dụng công nghệ này để vượt qua rào cản kỹ thuật trong việc gia nhập thị trường bộ nhớ máy chủ.
Công nghệ cốt lõi là transistor cổng bao quanh theo chiều dọc (VSG). Các chuyên gia trong ngành cho biết việc áp dụng cấu trúc 4F² có thể tăng mật độ tích hợp ô lên 30-50% so với thiết kế hiện tại. CXMT đã công bố hơn 300 bằng sáng chế liên quan đến kiến trúc này.
Việc phát triển sản phẩm lần này sẽ là một phép thử cho khả năng cạnh tranh về công nghệ của CXMT trong thị trường bộ nhớ máy chủ. Ông Tôn Phong, Giám đốc Viện Nghiên cứu FastSync, cho biết với Global Times rằng "ba công ty bộ nhớ hàng đầu thế giới cũng đang thúc đẩy phát triển công nghệ D램 4F² hoặc tương tự như 3D, nhưng vẫn chưa đạt được quy mô thương mại lớn." Nếu CXMT thành công trong việc thương mại hóa sản phẩm trước, công ty có thể giành được lợi thế trong thị trường bộ nhớ thế hệ mới và nâng cao sức cạnh tranh của chuỗi cung ứng bán dẫn cao cấp của Trung Quốc.
Trong khi đó, Samsung dự kiến sẽ thương mại hóa kiến trúc 4F² vào năm 2028. Công ty này được cho là sẽ sản xuất ô nhớ và mạch xung quanh trên các wafer riêng biệt, sau đó kết hợp chúng bằng phương pháp liên kết lai.
* Bài viết này được dịch tự động bằng AI.
CHO YONG SUNG
yscho@ajunews.com
© Bản quyền thuộc về Thời báo Kinh tế AJU & www.ajunews.com: Việc sử dụng các nội dung đăng tải trên vietnam. kyungjeilbo.com phải có sự đồng ý bằng văn bản của Aju News Corporation.