Tham gia liên minh toàn cầu do ASML dẫn dắt... Nghiên cứu chung và phát triển tiêu chuẩn chuyển đổi từ 6 inch sang 12 inch
Giảm thiểu hạn chế 'stitching' trong quá trình chiếu sáng, nâng cao năng suất... Mở rộng từ Foundry sang bộ nhớ tiên tiến
Samsung Electronics sẽ tham gia vào liên minh phát triển bảng khắc quang 12 inch thế hệ mới do ASML dẫn dắt. Vào năm 2028, công ty sẽ áp dụng thiết bị 'Extreme Ultraviolet (EUV) với độ phân giải cao' trong sản xuất D램 tiên tiến, không chỉ dừng lại ở việc giới thiệu thiết bị chiếu sáng thế hệ mới mà còn xây dựng tiêu chuẩn và hệ sinh thái sản xuất bảng khắc quang để tận dụng tối đa công nghệ này.
Vào ngày 8 tháng 9, Samsung Electronics đã công bố tham gia vào 'Liên minh Bảng Khắc Lớn' của ASML để nghiên cứu chung và phát triển tiêu chuẩn cho bảng khắc quang 12 inch, với mục tiêu chuyển đổi từ bảng khắc quang 6 inch hiện tại sang 12 inch.
Bảng khắc quang là khuôn mẫu để khắc các mạch bán dẫn. Thiết bị chiếu sáng sẽ chiếu sáng bảng khắc để hiện thực hóa các mạch trên wafer, vì vậy độ chính xác và tiêu chuẩn của bảng khắc càng trở nên quan trọng khi quy trình chế tạo ngày càng tinh vi.
Với công nghệ High NA EUV, do khu vực chiếu sáng hẹp hơn so với trước đây, có thể cần phải thực hiện 'stitching' để kết nối nhiều lần chụp các chip lớn. Việc sử dụng bảng khắc quang 12 inch sẽ giúp giảm thiểu những hạn chế này, đơn giản hóa các bước quy trình và nâng cao năng suất.
Bảng khắc quang lớn 12 inch đã được thảo luận trong ngành công nghiệp bán dẫn như một giải pháp để giảm thiểu vấn đề stitching của High NA EUV. Tuy nhiên, việc thay đổi toàn bộ chuỗi cung ứng từ bảng khắc quang đến ghi mạch, kiểm tra, vận chuyển và thiết bị chiếu sáng là một thách thức lớn, do đó việc các nhà sản xuất thiết bị, nhà sản xuất bán dẫn và hệ sinh thái bảng khắc quang cùng nhau xây dựng tiêu chuẩn sẽ là nhiệm vụ quan trọng để thương mại hóa công nghệ này.
Samsung Electronics dự kiến sẽ áp dụng High NA EUV trong sản xuất D램 tiên tiến từ năm 2028. Công nghệ này cho phép thực hiện các mạch tinh vi hơn so với EUV hiện tại, giúp kéo dài giới hạn thu nhỏ của D램 và giảm thiểu quy trình khắc nhiều lần.
Trước đây, Samsung Electronics đã lần đầu tiên áp dụng EUV trong sản xuất D램, giảm thiểu quy trình khắc nhiều lần và nâng cao năng suất. Lần này, công ty sẽ mở rộng công nghệ chiếu sáng thế hệ mới đã được áp dụng trong Foundry sang lĩnh vực bộ nhớ, nhằm nâng cao khả năng cạnh tranh trong sản xuất D램 hiệu suất cao cho AI.
Chủ tịch Lee Jae-young của Samsung Electronics cho biết: "Chúng tôi sẽ tiếp tục duy trì vị thế lãnh đạo trong sản xuất bán dẫn tiên tiến, bao gồm cả Foundry và bộ nhớ, đồng thời tăng cường hợp tác với ASML để xây dựng nền tảng công nghệ cho 'AI tiếp theo'."
* Bài viết này được dịch tự động bằng AI.
SEONGJUN JO
critic@ajunews.com
© Bản quyền thuộc về Thời báo Kinh tế AJU & www.ajunews.com: Việc sử dụng các nội dung đăng tải trên vietnam. kyungjeilbo.com phải có sự đồng ý bằng văn bản của Aju News Corporation.