SK Hynix cung cấp mẫu bộ nhớ AI thế hệ mới 'HBM4E 12 tầng'

SK Hynix đã thông báo rằng họ đã cung cấp mẫu bộ nhớ DRAM hiệu suất cao thế hệ mới 7, bộ nhớ băng thông cao (HBM4E) 12 tầng cho các khách hàng chính vào ngày 18 tháng 6 năm 2026.
 
SK Hynix cho biết: "Chúng tôi đã có thể giới thiệu mẫu HBM4E 12 tầng cho khách hàng dựa trên năng lực phát triển HBM và kinh nghiệm sản xuất tích lũy trong thời gian qua" và nhấn mạnh rằng "chúng tôi sẽ hợp tác chặt chẽ với các khách hàng chính để đảm bảo sản xuất đúng thời hạn".

Việc cung cấp mẫu này được dự đoán sẽ củng cố vị thế độc quyền của SK Hynix trong thị trường bộ nhớ AI thế hệ mới hướng đến NVIDIA.
 
Đặc biệt, sản phẩm mới này đã nâng cao cả hiệu suất và hiệu quả năng lượng so với thế hệ trước là HBM4. Nó đạt tốc độ xử lý dữ liệu tối đa 16 Gbps trên mỗi chân và cải thiện hiệu quả năng lượng hơn 20%, tăng cường đáng kể hiệu suất xử lý dữ liệu cần thiết cho việc học và suy luận của trí tuệ nhân tạo (AI).
 
Ngoài ra, HBM4E đã giảm độ trễ truyền dữ liệu và đảm bảo hoạt động ổn định ngay cả trong môi trường băng thông cao nhờ vào giao diện mới nhất và tối ưu hóa thiết kế. Công ty kỳ vọng điều này sẽ nâng cao hiệu quả xử lý cho các trung tâm dữ liệu AI thế hệ mới và các hệ thống tính toán quy mô lớn.
 
Đặc biệt, HBM4E áp dụng quy trình MR-MUF tiên tiến, cho phép đạt dung lượng 48GB theo tiêu chuẩn 12 tầng, đồng thời nâng cao độ ổn định cấu trúc. Đặc biệt, nó đã giảm khoảng 17% điện trở nhiệt so với HBM4, giúp bộ nhớ hoạt động ổn định ngay cả trong môi trường tính toán hiệu suất cao.

Án Hyun, Chủ tịch kiêm Giám đốc phát triển của SK Hynix (CDO), cho biết: "Chúng tôi đã xây dựng được năng lực công nghệ hàng đầu trong ngành và khả năng sản xuất, và chúng tôi sẽ tiếp tục duy trì điều này với sản phẩm HBM4E, tạo nền tảng cho việc dẫn dắt đổi mới AI" và nhấn mạnh rằng "chúng tôi sẽ củng cố vị thế lãnh đạo công nghệ của mình như một nhà sáng tạo bộ nhớ AI toàn diện, dựa trên sự hợp tác với các đối tác để đáp ứng giá trị mà thị trường yêu cầu".