SK Hynix công bố lộ trình HBM4 tại hội nghị TSMC

SK Hynix đã công bố lộ trình chi tiết để dẫn đầu thị trường bộ nhớ băng thông cao (HBM) thế hệ mới tại sự kiện công nghệ do TSMC tổ chức.
 
Tại 'TSMC 2026 Technology Symposium' diễn ra ngày 22 tháng 4 tại San Jose, California, SK Hynix đã giới thiệu tiến độ phát triển HBM thế hệ thứ 6 và công nghệ đóng gói tiên tiến.
 
SK Hynix tập trung vào HBM4, một thành phần quan trọng trong kỷ nguyên trí tuệ nhân tạo (AI). Họ nhấn mạnh sự thay đổi trong quy trình sản xuất 'base die' từ HBM4, sử dụng công nghệ tiên tiến của TSMC thay vì tự sản xuất như trước đây.
 
Base die là bộ phận quan trọng kết nối với GPU, kiểm soát toàn bộ bộ nhớ, cho phép tích hợp nhiều chức năng tùy chỉnh khi áp dụng quy trình siêu nhỏ.
 
Sự hợp tác giữa hai công ty không chỉ dừng lại ở việc cung cấp linh kiện mà còn là chiến lược để chiếm lĩnh thị trường HBM tùy chỉnh. SK Hynix sẽ kết hợp công nghệ 'CoWoS' của TSMC với HBM của mình để đáp ứng nhu cầu đa dạng của các công ty công nghệ lớn toàn cầu.
 
Ngoài HBM4, SK Hynix còn trưng bày các sản phẩm mới như mô-đun bộ nhớ 256GB 3DS RDIMM cho máy chủ hiệu suất cao và GDDR7 cho đồ họa thế hệ mới, khẳng định vị thế dẫn đầu công nghệ.
 
SK Hynix dự kiến bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM4 trong năm 2026, xây dựng hệ sinh thái hợp tác chặt chẽ giữa khách hàng, nhà sản xuất và bộ nhớ, củng cố vị thế nhà cung cấp bộ nhớ AI toàn diện.
 
An Hyun, Giám đốc phát triển của SK Hynix, cho biết: "Thách thức của công nghệ AI hiện nay là hiện tượng nghẽn cổ chai do giới hạn băng thông, không thể xử lý nhanh dữ liệu tăng lên. Chúng tôi sẽ cung cấp HBM tùy chỉnh đáp ứng nhu cầu cụ thể của khách hàng và mở rộng giải pháp bao gồm cả DRAM và NAND flash."