Thứ Ba, ngày 27 tháng 10 năm 2026
CXMT đầu tư 7 triệu tỷ đồng để phát triển HBM4

CXMT đầu tư 7 triệu tỷ đồng để phát triển HBM4

CHO YONG SUNG 09:08 29-09-2026
Toàn cảnh trụ sở CXMT
Toàn cảnh trụ sở CXMT [ảnh=Reuters·Liên minh]
Công ty công nghệ CXMT, nhà sản xuất D램 lớn nhất Trung Quốc, sẽ thực hiện một khoản đầu tư lớn khoảng 7 triệu tỷ đồng. Việc CXMT bắt đầu sản xuất HBM3E với số lượng nhỏ được hiểu là một bước tiến trong việc củng cố khả năng cạnh tranh của HBM.

CXMT đã công bố kế hoạch đầu tư mới với tổng trị giá 34,9 tỷ nhân dân tệ (khoảng 7 triệu tỷ đồng) vào tối ngày 28 tháng 9. Trong số đó, 24,1 tỷ nhân dân tệ sẽ được chi cho các dự án nghiên cứu và phát triển công nghệ, trong khi 10,8 tỷ nhân dân tệ sẽ được đầu tư vào việc xây dựng cơ sở thử nghiệm sau sản xuất.

Đặc biệt, trong tổng số 24,1 tỷ nhân dân tệ dành cho dự án nghiên cứu và phát triển công nghệ, 22,398 tỷ nhân dân tệ được dự kiến dùng cho việc mua sắm thiết bị, chiếm tới 92,94% tổng số tiền. Thời gian xây dựng dự án là 30 tháng, và CXMT dự định thông qua đó để tăng tốc độ thay thế thế hệ sản phẩm và công nghệ, nâng cao mật độ bộ nhớ, hiệu suất năng lượng và hiệu suất tổng thể.

CXMT đã bước vào giai đoạn phát triển và sản xuất HBM3E. HBM là bộ nhớ băng thông cao được tạo ra bằng cách xếp chồng nhiều tấm D램 theo chiều dọc, yêu cầu không chỉ quy trình chế tạo và tỷ lệ sản xuất mà còn cả công nghệ xếp chồng, đóng gói và thử nghiệm.

Do đó, khoản đầu tư 24,1 tỷ nhân dân tệ vào công nghệ D램 thế hệ tiếp theo có thể được sử dụng như một nền tảng để nâng cao công nghệ quy trình của D램 hiệu suất cao được sử dụng trong HBM và cải thiện tỷ lệ sản xuất. Đặc biệt, việc đầu tư vào thiết bị quy mô lớn sẽ củng cố khả năng nghiên cứu và phát triển quy trình D램 thế hệ tiếp theo cũng như khả năng chuyển đổi sang sản xuất hàng loạt.

Cơ sở thử nghiệm sau sản xuất trị giá 10,8 tỷ nhân dân tệ cũng liên quan đến HBM. CXMT dự định xây dựng một nhà máy thử nghiệm tại đây để thực hiện thử nghiệm D램 và lắp ráp mô-đun. Công ty cho biết với việc mở rộng năng lực sản xuất và tăng số lượng sản phẩm, khả năng thử nghiệm của các nhà cung cấp dịch vụ sau sản xuất bên ngoài có thể không đủ, do đó cần thiết phải có khả năng thử nghiệm nội bộ. Việc sở hữu dây chuyền sản xuất sau công đoạn cũng là một phần trong việc chuẩn bị cho việc mở rộng sản xuất HBM.

Cuối cùng, khoản đầu tư này không chỉ đơn thuần là mở rộng năng lực sản xuất D램 mà còn mang tính chất chuẩn bị cho cuộc cạnh tranh bộ nhớ hiệu suất cao từ HBM3E đến HBM4.

Trong khi đó, tạp chí công nghệ thông tin của Mỹ, The Information, đã dẫn lời hai nguồn tin am hiểu về vấn đề này vào ngày 31 tháng 8 cho biết CXMT đã bắt đầu sản xuất HBM3E với số lượng nhỏ. Sản phẩm HBM3E được sản xuất đang được thử nghiệm tại hai công ty, bao gồm PingTouGe, một công ty thiết kế bán dẫn AI thuộc Alibaba, và Cambrian, một công ty bán dẫn AI của Trung Quốc. Nếu vượt qua thử nghiệm, sản phẩm HBM của CXMT có thể được đưa vào các sản phẩm ra mắt sớm nhất vào năm 2027.



* Bài viết này được dịch tự động bằng AI.