Sáu công ty bộ nhớ toàn cầu có tỷ suất lợi nhuận vượt 70%... CXMT dẫn đầu với 82%
CXMT thêm 3 nhà máy D램... Dự báo sản lượng gấp đôi đến năm 2030
SK Hynix dự kiến tăng gấp đôi sản xuất D램 vào năm 2031... Đối phó với chu kỳ suy thoái qua LTA
Nhu cầu tăng cao từ trí tuệ nhân tạo (AI) đã mang lại một thời kỳ bùng nổ chưa từng có cho ngành công nghiệp bán dẫn bộ nhớ toàn cầu. Tỷ suất lợi nhuận của các công ty lớn đã vượt qua 70%, và nguồn vốn thu được từ thời kỳ bùng nổ này đang được đầu tư vào các dự án cơ sở hạ tầng quy mô lớn. Trong khi Samsung Electronics và SK Hynix đang tăng tốc xây dựng cơ sở sản xuất trong nước, các công ty Trung Quốc cũng bắt đầu mở rộng quy mô, dự báo sự cạnh tranh trên thị trường bộ nhớ sẽ trở nên khốc liệt hơn.
Theo báo Nihon Keizai Shimbun, vào ngày 11 tháng 9, khi so sánh kết quả hoạt động của sáu công ty bộ nhớ hàng đầu toàn cầu dựa trên lợi nhuận trước lãi vay và thuế (EBIT), tỷ suất lợi nhuận trong quý 2 năm nay đều vượt quá 70%. Công ty công nghệ bộ nhớ Trung Quốc Changxin Memory Technology (CXMT) dẫn đầu với tỷ suất lợi nhuận 82%, tiếp theo là Micron với 80% (quý 1), SanDisk 78%, SK Hynix 76%, Kioxia 74%, và bộ phận bán dẫn của Samsung Electronics 70%.
Lợi nhuận cao này xuất phát từ tình trạng thiếu hụt cung bộ nhớ do nhu cầu từ AI. Samsung Electronics, SK Hynix và Micron đã ưu tiên phân bổ năng lực sản xuất hạn chế cho bộ nhớ băng thông cao (HBM) và D램 cao cấp cho máy chủ, dẫn đến việc cung cấp D램 thông dụng cho PC và smartphone giảm. Thêm vào đó, sự mở rộng của máy chủ AI đã làm tăng nhu cầu về DDR5 dung lượng lớn, khiến giá cả tăng cao trên toàn bộ sản phẩm bộ nhớ. Theo công ty nghiên cứu thị trường TrendForce, doanh thu toàn cầu của D램 trong quý 2 năm nay đạt 154,73 tỷ USD, tăng 59,5% so với quý trước.
Nguồn vốn thu được từ thời kỳ bùng nổ này đang được đầu tư trở lại vào cơ sở hạ tầng. Trong nửa đầu năm nay, Samsung Electronics đã thực hiện đầu tư cơ sở hạ tầng (CAPEX) lên tới 28,1 triệu tỷ đồng. Công ty dự kiến sẽ hoàn toàn vận hành khuôn viên P4 tại Pyeongtaek trong năm nay và đang đẩy nhanh tiến độ xây dựng nhà máy P5 fab 1, mà đã bắt đầu thi công vào tháng 4, cùng với kế hoạch xây dựng nhà máy P5 fab 2. Đầu tư vào khu công nghiệp quốc gia tại Yongin cũng đang được thúc đẩy. Samsung Electronics đang xem xét việc đưa thời gian vận hành nhà máy đầu tiên trong tổng số 6 nhà máy tại đây từ năm 2030-2031 lên năm 2029.
SK Hynix cũng đang đẩy nhanh tiến độ đầu tư vào cụm bán dẫn tại Yongin. Mục tiêu hoàn thành 4 nhà máy mà trước đó dự kiến sẽ hoàn thành lần lượt đến năm 2045 đã được rút ngắn xuống còn năm 2033. Công ty dự kiến sẽ đầu tư thêm tổng cộng 54,3 triệu tỷ đồng, trong đó có 35,2 triệu tỷ đồng cho nhà máy D램 Yongin 2 và 19,1 triệu tỷ đồng cho cơ sở sản xuất NAND tại Cheongju.
Trong khi các công ty trong nước mở rộng đầu tư, sự theo đuổi của các công ty Trung Quốc cũng đang gia tăng. Các công ty D램 Trung Quốc đang mở rộng năng lực sản xuất chủ yếu cho các sản phẩm thông dụng, nhằm mở rộng vị thế trên thị trường mà Samsung Electronics, SK Hynix và Micron đang dẫn đầu. Công ty D램 lớn nhất Trung Quốc, CXMT, hiện có 3 nhà máy D램 và dự định mở rộng lên 6 nhà máy trong tương lai.
Do đó, năng lực sản xuất wafer của CXMT, hiện đang ở mức 300.000 tấm mỗi tháng, dự kiến sẽ tăng gấp đôi lên hơn 600.000 tấm vào năm 2030. Thị phần toàn cầu của D램 cũng dự kiến sẽ tăng từ 8% vào năm ngoái lên 11% vào năm 2028 và 15% vào năm 2030. Nếu các công ty Trung Quốc đạt được thị phần hai chữ số, cấu trúc thị trường hiện tại do ba công ty bộ nhớ dẫn dắt sẽ có sự thay đổi.
Việc các công ty liên tục mở rộng quy mô cũng được coi là yếu tố biến động trong tương lai của ngành bộ nhớ. Hiện tại, nhu cầu tăng cao từ AI và tình trạng thiếu hụt cung đang tạo ra lợi nhuận cao, nhưng việc duy trì xu hướng tăng nhu cầu cho đến khi năng lực sản xuất mới được đưa vào hoạt động là điều quan trọng. Đặc biệt, nếu năng lực sản xuất của các công ty toàn cầu, bao gồm cả Trung Quốc, đồng thời tăng lên, khả năng thiếu hụt cung sẽ nhanh chóng được cải thiện.
Công ty nghiên cứu thị trường Counterpoint Research cho biết: "Theo các dự án lớn do chính phủ Hàn Quốc dẫn dắt, năng lực sản xuất D램 của Samsung Electronics và SK Hynix dự kiến sẽ tăng gấp đôi, nhưng thời gian mục tiêu là vào năm 2031", và "các nhà sản xuất đang tập trung đầu tư vào việc phát triển công nghệ tiên tiến và mở rộng nhà máy, đồng thời chuẩn bị cho chu kỳ suy thoái trong tương lai thông qua các hợp đồng cung cấp dài hạn (LTA)".
* Bài viết này được dịch tự động bằng AI.
© Bản quyền thuộc về Thời báo Kinh tế AJU & www.ajunews.com: Việc sử dụng các nội dung đăng tải trên vietnam. kyungjeilbo.com phải có sự đồng ý bằng văn bản của Aju News Corporation.



