SK Hynix sẽ áp dụng thiết bị chiếu sáng thế hệ mới của ASML vào quy trình sản xuất D램 năm 2028

SK Hynix sẽ áp dụng thiết bị chiếu sáng thế hệ mới 'High NA Extreme Ultraviolet (EUV)' của ASML vào quy trình sản xuất D램 vào năm 2028. Đây là một chiến lược nhằm nâng cao hiệu suất và khả năng cạnh tranh về chi phí của D램 vượt qua giới hạn của quy trình vi mô hiện tại.

Theo thông tin từ Reuters vào ngày 9 tháng 9, SK Hynix cho biết họ đang đặt mục tiêu áp dụng quy trình High NA EUV vào sản xuất D램 vào năm 2028. Đồng thời, công ty cũng đang xem xét tham gia vào 'Liên minh mặt nạ lớn (Large Size Mask Consortium)' do TSMC dẫn đầu.

Công nghệ High NA EUV là một công nghệ chiếu sáng thế hệ mới có khả năng tạo ra các mạch điện tinh vi hơn so với thiết bị EUV hiện tại. Độ mở (NA) của thiết bị này sẽ tăng từ 0.33 lên 0.55, cho phép tạo ra các mẫu tinh vi hơn trong một lần, từ đó giảm số bước trong quy trình sản xuất và nâng cao hiệu suất cũng như năng suất của bán dẫn.

SK Hynix đã lần đầu tiên áp dụng EUV vào sản xuất D램 thế hệ thứ tư (1a) 10nm vào tháng 10 năm 2021 và đã mở rộng ứng dụng công nghệ này cho các sản phẩm D램 tiên tiến. Kế hoạch của họ là đơn giản hóa quy trình EUV hiện tại và tăng tốc độ phát triển bộ nhớ thế hệ mới bằng cách áp dụng High NA EUV.

Công ty cũng tham gia vào các nỗ lực thay đổi tiêu chuẩn quy trình chiếu sáng bán dẫn. SK Hynix đang xem xét tham gia vào một liên minh nhằm mở rộng kích thước mặt nạ quang học từ 6 inch lên 12 inch. Mặt nạ quang học là bản mẫu dùng để chuyển các mẫu mạch bán dẫn lên wafer, và việc mở rộng kích thước sẽ nâng cao năng suất và hiệu quả của quy trình chiếu sáng thế hệ mới.

Liên minh này có sự tham gia của các công ty bán dẫn toàn cầu như ASML, và Samsung Electronics cũng đã tham gia. Nếu SK Hynix tham gia, cuộc cạnh tranh về tiêu chuẩn công nghệ giữa các thiết bị EUV thế hệ mới và mặt nạ lớn trong ngành công nghiệp bán dẫn toàn cầu sẽ càng trở nên sôi động hơn.