Thứ Ba, ngày 07 tháng 11 năm 2026
DB Hi-Tech, công ty đầu tiên trên thế giới xác nhận quy trình sản xuất bán dẫn SiC 8 inch… sản xuất hàng loạt vào năm 2027

DB Hi-Tech, công ty đầu tiên trên thế giới xác nhận quy trình sản xuất bán dẫn SiC 8 inch… sản xuất hàng loạt vào năm 2027

SEONGJUN JO 09:36 09-09-2026
Đảm bảo độ tin cậy cho MOSFET SiC 1200V… hỗ trợ toàn diện từ thiết kế đến sản xuất và đánh giá Cung cấp bộ thiết kế cho thế hệ 1 và 2… ra mắt thế hệ 3 vào tháng 11 và rút ngắn thời gian phát triển 1 năm
Logo công ty DB Hi-Tech
Logo công ty DB Hi-Tech [ảnh=DB Hi-Tech]

DB Hi-Tech đã hoàn thành việc xác nhận độ tin cậy cho quy trình sản xuất bán dẫn công suất silicon carbide (SiC) 1200V trên nền tảng wafer 8 inch, trở thành công ty đầu tiên trên thế giới thực hiện điều này. Trong bối cảnh thị trường SiC hiện tại chủ yếu sử dụng wafer 6 inch đang chuyển sang 8 inch để nâng cao khả năng cạnh tranh về chi phí, công ty sẽ bắt đầu tăng cường việc thu hút khách hàng trước khi sản xuất hàng loạt vào năm 2027.

Vào ngày 9 tháng 9, DB Hi-Tech thông báo đã hoàn thành việc xác nhận độ tin cậy cho quy trình MOSFET SiC 1200V 8 inch. Công ty cho biết đã thiết lập hệ thống xưởng đúc có khả năng hỗ trợ toàn diện từ thiết kế, sản xuất wafer đến đánh giá các đặc tính điện và xác nhận độ tin cậy.

SiC là vật liệu bán dẫn công suất thế hệ mới, mạnh mẽ hơn silicon truyền thống, có khả năng chịu nhiệt độ cao và điện áp cao, được sử dụng trong xe điện, năng lượng tái tạo và các thiết bị điện công nghiệp. Việc tăng kích thước wafer từ 6 inch lên 8 inch cho phép sản xuất nhiều chip hơn trên mỗi tấm, được coi là một bước chuyển quan trọng giúp giảm giá thành SiC.

DB Hi-Tech đang cung cấp bộ thiết kế quy trình (PDK) MOSFET SiC 1200V thế hệ 1 và 2 do công ty tự phát triển cho các khách hàng. PDK là tập hợp các quy tắc thiết kế và mô hình giúp khách hàng thiết kế chip phù hợp với quy trình xưởng đúc. Công ty cho rằng điều này sẽ giúp rút ngắn thời gian sản xuất mẫu thử của khách hàng, giảm hơn 1 năm trong tổng thời gian phát triển.

Quy trình thế hệ 2 đã đạt được các đặc tính với điện trở suất dưới 2.5 mΩ·㎠ và điện áp ngưỡng trên 3V. Vào tháng 11 tới, công ty sẽ công bố PDK thế hệ 3 với điện trở suất giảm xuống dưới 2.3 mΩ·㎠.

Dự án SiC là trụ cột chính trong việc chuyển đổi xưởng đúc 8 inch của DB Hi-Tech sang tập trung vào các sản phẩm bán dẫn công suất cao giá trị gia tăng. Công ty đặt mục tiêu tăng tỷ trọng doanh thu từ các sản phẩm cao cấp như trung tâm dữ liệu AI, ô tô và công nghiệp từ 24% vào năm 2025 lên 60% vào năm 2030, đồng thời mở rộng tổng doanh thu lên 18.000 tỷ đồng.

DB Hi-Tech dự kiến sẽ cung cấp quy trình cho các khách hàng hợp tác hiện tại từ quý 3 năm nay và mở rộng dịch vụ cho tất cả khách hàng vào quý 2 năm 2027. Gần đây, công ty cũng đã tham gia liên tiếp các triển lãm bán dẫn tại châu Âu và Ấn Độ nhằm tìm kiếm khách hàng mới cho SiC và gallium nitride (GaN).

Đại diện DB Hi-Tech cho biết: "Việc hoàn thành xác nhận độ tin cậy lần này có ý nghĩa quan trọng trong việc thiết lập công nghệ quy trình cốt lõi và nền tảng sản xuất cho dịch vụ xưởng đúc SiC 8 inch đầu tiên trên thế giới. Chúng tôi sẽ chuẩn bị cho việc sản xuất hàng loạt SiC 8 inch vào năm 2027 một cách suôn sẻ, mở rộng khả năng cạnh tranh trong thị trường xưởng đúc bán dẫn công suất thế hệ mới."



* Bài viết này được dịch tự động bằng AI.