Cuộc chiến HBM gia tăng với sự tham gia của Micron và Trung Quốc, khoảng cách giữa SK Hynix và Samsung giảm xuống còn 17%

Cuộc cạnh tranh giành quyền kiểm soát thị trường bộ nhớ băng thông cao (HBM), một thành phần quan trọng trong chip AI, đang diễn ra gay gắt. SK Hynix giữ vị trí dẫn đầu với 50% thị phần, trong khi Samsung Electronics nhanh chóng mở rộng thị phần, thu hẹp khoảng cách giữa hai công ty. Khi thị trường chuyển từ HBM3E sang HBM4 trong nửa cuối năm, dự báo Samsung Electronics sẽ chiếm vị trí số một trong thị trường HBM4 vào năm tới.

Ngoài ra, Micron của Mỹ đang mở rộng năng lực sản xuất HBM4, trong khi CXMT của Trung Quốc cũng bắt đầu sản xuất HBM3E, làm cho cuộc cạnh tranh trong thị trường HBM trở nên khốc liệt hơn.

Theo dữ liệu từ Counterpoint Research vào ngày 4 tháng 9, trong quý 2 năm nay, SK Hynix giữ vị trí số một với 50% thị phần dựa trên doanh thu. Tuy nhiên, con số này đã giảm 8 điểm phần trăm so với 58% trong quý 1.

Trong cùng thời gian, thị phần của Samsung Electronics đã tăng từ 21% lên 33%, tăng 12 điểm phần trăm. Do đó, khoảng cách giữa SK Hynix và Samsung Electronics đã giảm từ 37 điểm phần trăm xuống còn 17 điểm phần trăm chỉ trong một quý. Micron đứng ở vị trí thứ ba với 18% thị phần.

Bắt đầu từ nửa cuối năm, việc xuất khẩu HBM4 sẽ chính thức được triển khai, dự báo cuộc cạnh tranh giữa Samsung Electronics và SK Hynix sẽ trở nên khốc liệt hơn. Hiện tại, phần lớn doanh thu từ thị trường HBM đến từ HBM3E thế hệ thứ 5, nhưng với việc HBM4 thế hệ thứ 6 được trang bị cho các bộ tăng tốc AI thế hệ tiếp theo của NVIDIA như 'Vera Rubin', thị trường đang chuyển hướng sang HBM4.

Samsung Electronics dự kiến sẽ tăng doanh thu HBM4 trong quý 3 lên gấp ba lần so với quý 2. SK Hynix cũng đã hoàn tất việc ổn định tỷ lệ sản xuất HBM4 và bắt đầu tăng cường sản xuất. Cả hai công ty đều đang tăng tốc phát triển sản phẩm thế hệ tiếp theo HBM4E.

Dự báo rằng lợi thế thị trường mà SK Hynix đã đạt được từ HBM3E có thể thay đổi trong HBM4. Ngân hàng đầu tư toàn cầu UBS dự đoán rằng vào năm tới, Samsung Electronics sẽ chiếm 41% thị phần HBM4, vượt qua SK Hynix (39%) để đứng đầu. Tổng lượng xuất khẩu HBM của Samsung Electronics dự kiến sẽ tăng 124% so với năm trước, và 137% vào năm tới.

Công ty chứng khoán KB cũng dự đoán rằng Samsung Electronics sẽ đạt 44% thị phần HBM4 vào năm tới. Họ cũng dự báo rằng giá bán trung bình (ASP) của HBM của Samsung Electronics sẽ tăng gấp đôi so với năm trước.

Micron cũng đang mở rộng năng lực sản xuất HBM4 để theo kịp Samsung Electronics và SK Hynix. Theo thông tin từ ngành, Micron dự kiến sẽ tăng thêm 60.000 tấm wafer mỗi tháng đến cuối năm nay, nâng tổng năng lực sản xuất lên khoảng 100.000 tấm. So với mức 40.000-50.000 tấm mỗi tháng của năm ngoái, con số này đã tăng gấp đôi.

Tỷ lệ sản xuất HBM4 12 lớp cũng được dự báo sẽ tăng từ mức 20-30% đầu năm lên tối đa 50% vào cuối năm. Micron đã bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM4 12 lớp trong quý 2 năm nay và doanh thu tích lũy từ HBM4 đã vượt qua 1 tỷ USD.

Sự cạnh tranh từ Trung Quốc cũng đang gia tăng. Nhà sản xuất DRAM lớn nhất của Trung Quốc, CXMT, gần đây đã bắt đầu sản xuất HBM3E với số lượng nhỏ. Họ dự kiến sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt từ năm 2027 và cung cấp cho các công ty fabless (thiết kế bán dẫn) của Trung Quốc trong năm đó. Các công ty con của Alibaba như T-Head và các công ty bán dẫn AI của Trung Quốc như Cambrian đã được cho là đang áp dụng HBM3E của CXMT vào các bộ xử lý của họ để đánh giá.

CXMT ban đầu dự kiến sẽ sản xuất HBM3 trong năm nay, nhưng tốc độ phát triển đã nhanh chóng đạt đến HBM3E. Nếu xét đến việc Samsung Electronics và SK Hynix bắt đầu sản xuất HBM3E vào năm 2024, thì khoảng cách công nghệ giữa họ và CXMT hiện tại là khoảng 3 năm.

Tuy nhiên, HBM của CXMT bị đánh giá là có độ tin cậy và tốc độ thấp hơn so với sản phẩm của Samsung Electronics, SK Hynix và Micron. Hơn nữa, khi Samsung Electronics và SK Hynix đã mở rộng cung cấp HBM4 và bắt đầu phát triển HBM4E, khoảng cách về mặt thế hệ sản phẩm vẫn còn tồn tại.