Samsung Electronics nhận giải thưởng công nghệ bộ nhớ thế hệ mới tại FMS 2026

Samsung Electronics đã được công nhận về công nghệ bộ nhớ thế hệ mới tại hội nghị công nghệ bộ nhớ toàn cầu 'FMS 2026', giành được hai giải thưởng.

Theo thông tin từ Samsung Electronics vào ngày 6 tháng 8, công ty đã nhận giải 'Giải thưởng tốt nhất trong triển lãm' (Best of Show Awards) với sản phẩm 'V10 BV-NAND' cho giải thưởng đổi mới 3D NAND (3D & NAND Innovation Award) và 'LPDDR5X-PIM' cho giải thưởng bộ nhớ thế hệ tiếp theo (Next-Gen Memory Award).

V10 BV-NAND là công nghệ V-NAND thế hệ mới với cấu trúc siêu cao hơn 400 lớp. Công nghệ kết nối theo chiều dọc (Bonding Vertical) và cấu trúc 3 lớp (3-Stack) được áp dụng để tăng dung lượng lưu trữ trong khi giảm tiêu thụ điện năng và nhiệt độ. Đây được đánh giá là công nghệ NAND thế hệ mới đáp ứng nhu cầu lưu trữ dữ liệu đang gia tăng trong thời đại AI.

Sản phẩm LPDDR5X-PIM cùng nhận giải là bộ nhớ DRAM tiết kiệm năng lượng đầu tiên trên thế giới, áp dụng công nghệ PIM (Processing In Memory). Cấu trúc này cho phép thực hiện các phép toán trực tiếp bên trong bộ nhớ, giảm thiểu việc di chuyển dữ liệu, từ đó nâng cao hiệu suất hệ thống và hiệu quả năng lượng. Đặc biệt, đây là công nghệ bộ nhớ chủ chốt được chú ý trong các môi trường tính toán AI quy mô lớn như tăng tốc AI và tính toán hiệu suất cao (HPC), giúp giảm thiểu hiện tượng tắc nghẽn.

Thông qua các giải thưởng này, Samsung Electronics một lần nữa khẳng định vị thế lãnh đạo công nghệ trong lĩnh vực NAND thế hệ mới và bộ nhớ AI, đồng thời có kế hoạch củng cố vị thế lãnh đạo công nghệ bộ nhớ trong thời đại AI.

Công ty sẽ công bố lộ trình bộ nhớ thế hệ mới, giải pháp bộ nhớ AI và công nghệ lưu trữ thế hệ tiếp theo tại FMS 2026, diễn ra đến ngày 6 tháng 8 (theo giờ địa phương), và chia sẻ tầm nhìn công nghệ bộ nhớ tương lai với các khách hàng toàn cầu.