Cuộc chiến 'Hậu HBM' giữa Samsung và SK: Chiến lược 3D tùy chỉnh của Samsung đối đầu với tiêu chuẩn mở của SK

Samsung Electronics và SK Hynix đã phát triển những hướng đi khác nhau trong thị trường bộ nhớ băng thông cao (HBM) tiếp theo. Trong khi Samsung áp dụng chiến lược "suit tùy chỉnh" bằng cách lắp đặt bộ nhớ trực tiếp lên chip AI của khách hàng, SK Hynix lại tập trung vào việc chiếm lĩnh "tiêu chuẩn chung" có thể được nhiều khách hàng sử dụng.
Theo thông tin từ ngành công nghiệp bán dẫn vào ngày 5 tháng 8, Samsung và SK Hynix đã công bố công nghệ bộ nhớ AI thế hệ tiếp theo tại sự kiện 'FMS 2026' diễn ra ở Santa Clara, California, Mỹ. Hướng đi công nghệ để giành quyền kiểm soát thị trường sau HBM đã rõ ràng phân chia.
Công nghệ mà Samsung giới thiệu là zHBM. Trong khi HBM truyền thống được gắn bên cạnh bộ tăng tốc AI, zHBM lại xếp chồng bộ nhớ lên trên bộ tăng tốc AI theo chiều dọc. Việc giảm khoảng cách giữa bộ xử lý và bộ nhớ giúp tăng tốc độ di chuyển dữ liệu và giảm tiêu thụ điện năng.

Samsung cho biết zHBM có thể đạt hiệu suất cao gấp 8 lần so với HBM5. Tỷ lệ hiệu suất trên điện năng (tỷ lệ hiệu suất) cao hơn gấp 3 lần và khả năng kháng nhiệt giảm hơn một nửa. Khi mô hình AI ngày càng lớn, nút thắt trong di chuyển dữ liệu cũng tăng lên, do đó, phương pháp lắp đặt bộ nhớ gần hơn được đưa ra như một giải pháp.
Thiết kế tùy chỉnh cũng là một yếu tố quan trọng. Samsung cho biết có thể đưa IP theo yêu cầu của khách hàng vào lớp giữa giữa bộ nhớ và bộ tăng tốc AI. Điều này có nghĩa là cấu trúc có thể được thay đổi theo dung lượng bộ nhớ, hiệu suất bộ tăng tốc và điều kiện điện năng mà khách hàng mong muốn.
Samsung cũng nhấn mạnh chiến lược 3D trong lĩnh vực NAND. Công ty đã công bố V10 BV-NAND, thế hệ V-NAND thứ 10 với hơn 400 lớp. Công nghệ liên kết wafer đã được áp dụng để tăng mật độ tích hợp lên khoảng 58% so với thế hệ trước. zNAND-O cũng được công bố cho AI trên thiết bị.
Hướng đi của SK Hynix là tiêu chuẩn hóa. Công ty đã công bố tiêu chuẩn đầu tiên cho bộ nhớ băng thông cao (HBF) cùng với SanDisk. HBF là công nghệ lưu trữ thế hệ tiếp theo, cho phép truyền dữ liệu nhanh như HBM nhưng có dung lượng lớn hơn dựa trên NAND.

HBF là một lớp mới nằm giữa HBM và ổ đĩa thể rắn (SSD). Khi AI ngày càng phổ biến, dữ liệu sẽ được tích lũy nhiều hơn và cần được truy xuất thường xuyên hơn. Chỉ sử dụng HBM sẽ gây ra gánh nặng về dung lượng, trong khi chỉ sử dụng SSD sẽ không đủ tốc độ. SK Hynix dự định lấp đầy khoảng trống này bằng HBF.
Tiêu chuẩn này được thiết lập với dung lượng tối đa 512GB. Băng thông được chia thành ba cấp độ, từ khoảng 0,4TB đến 3,0TB mỗi giây. Giao tiếp với bộ xử lý sử dụng giao diện chiplet mở UCIe, mở ra khả năng kết nối với các chip khác nhau như GPU và CPU.
Tại FMS, SK Hynix cũng lần đầu tiên công bố NAND 4D thế hệ thứ 10 với 375 lớp. Sản phẩm này có hiệu suất cao hơn gấp 2,5 lần so với thế hệ trước về tỷ lệ điện năng. Công ty dự kiến sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt eSSD hiệu suất cao và dung lượng lớn dựa trên sản phẩm này vào đầu năm sau.
Một quan chức trong ngành công nghiệp bán dẫn cho biết: "Cuộc cạnh tranh sau HBM không chỉ là về thông số kỹ thuật sản phẩm đơn lẻ mà là cuộc chiến ai sẽ chiếm lĩnh cấu trúc hệ thống AI trước. Samsung nhắm đến tối ưu hóa theo yêu cầu của khách hàng, trong khi SK Hynix hướng đến hệ sinh thái mở để giải quyết nút thắt bộ nhớ AI."



* Bài viết này được dịch tự động bằng AI.

• #HBF
• #HBM
• #zHBM