SK Hynix bắt đầu cung cấp mẫu bộ nhớ HBM4E thế hệ mới, đối đầu với Samsung trong cuộc chiến công nghệ

SK Hynix đã chính thức bắt đầu cung cấp mẫu bộ nhớ DRAM siêu hiệu suất thế hệ mới 'HBM4E' dành cho AI. Chỉ một tháng sau khi Samsung Electronics xuất xưởng mẫu đầu tiên trên thế giới. Điều này đánh dấu sự cạnh tranh giữa hai công ty trong thị trường HBM4E, mở ra giai đoạn 'cuộc chiến lần thứ hai' về quyền lực bộ nhớ AI.

Vào ngày 18 tháng 6, SK Hynix thông báo đã cung cấp mẫu bộ nhớ băng thông cao thế hệ 7 (HBM4) 12 lớp cho các khách hàng chính. Sản phẩm này là mẫu kế tiếp của HBM thế hệ 6 (HBM4) hiện đang được sản xuất hàng loạt, tối ưu hóa hiệu suất xử lý dữ liệu cần thiết cho việc học và suy luận AI. Ban đầu, việc cung cấp dự kiến sẽ diễn ra vào nửa cuối năm nay, nhưng do tiến độ phát triển nội bộ diễn ra thuận lợi, thời gian cung cấp đã được đẩy lên sớm hơn.

Sản phẩm mới này đã cải thiện hiệu suất và hiệu quả năng lượng so với thế hệ trước. Nó đạt tốc độ xử lý dữ liệu tối đa 16 Gbps (gigabit mỗi giây) trên mỗi chân và cải thiện hiệu suất năng lượng hơn 20% thông qua tối ưu hóa thiết kế điện năng.

Đặc biệt, quy trình 'Advanced MR-MUF' độc quyền đã được áp dụng để hoàn thiện tính ổn định cấu trúc. Với 48GB dung lượng cao dựa trên 12 lớp xếp chồng, sản phẩm này giảm thiểu độ kháng nhiệt khoảng 17% so với thế hệ trước. Nhờ đó, hiện tượng tỏa nhiệt trong môi trường tính toán AI có thể được kiểm soát hiệu quả hơn.

SK Hynix nhấn mạnh: "Chúng tôi đang hợp tác chặt chẽ với các khách hàng chính dựa trên năng lực phát triển HBM và kinh nghiệm sản xuất đã tích lũy trong thời gian qua. Chúng tôi sẽ đảm bảo sản xuất đúng thời hạn để đáp ứng giá trị mà thị trường yêu cầu."

Trong khi đó, Samsung Electronics cũng không kém phần quyết liệt. Vào cuối tháng 5, Samsung đã cung cấp mẫu HBM4E 12 lớp đầu tiên trên thế giới cho các khách hàng toàn cầu, khẳng định công nghệ vượt trội. Chỉ sau 3 tháng kể từ khi công bố xuất xưởng HBM4 đầu tiên trên thế giới vào tháng 2, Samsung đã có động thái mạnh mẽ trong việc cung cấp dòng sản phẩm thế hệ tiếp theo.

HBM4E của Samsung được sản xuất bằng cách áp dụng đồng thời quy trình DRAM thế hệ 6 (1c) 10nm đã được kiểm chứng và quy trình sản xuất 4nm, đảm bảo cả năng suất và tính ổn định của quy trình. Thiết kế tiết kiệm năng lượng đã cải thiện hiệu suất năng lượng lên 16% và đặc tính kháng nhiệt cũng tăng hơn 14%. Đặc biệt, chiến lược 'turnkey một bước' đã tạo ra sự cộng hưởng mạnh mẽ, giúp Samsung chiếm ưu thế trong việc đảm bảo chuỗi cung ứng cho các công ty công nghệ lớn.

Sau khi hoàn tất việc cung cấp mẫu của cả hai công ty trong vòng một tháng, ngành công nghiệp đánh giá rằng cuộc chiến để chiếm lĩnh chuỗi cung ứng AI thế hệ tiếp theo đã bắt đầu. Với sự tái khởi động của cuộc cạnh tranh đặt hàng trong HBM4 và HBM4E, sản phẩm nào vượt qua được các kiểm tra khắt khe và phê duyệt cuối cùng của khách hàng sẽ nắm giữ lợi thế trên thị trường.

Ông An Gi Hyun, Giám đốc điều hành Hiệp hội Công nghiệp Bán dẫn Hàn Quốc, cho biết: "Cả hai công ty đều đang tiến hành phát triển và kiểm tra sản phẩm thế hệ tiếp theo nhanh hơn dự kiến. Thời điểm vượt qua kiểm tra chất lượng cuối cùng của khách hàng công nghệ lớn toàn cầu và tốc độ chuyển đổi sang sản xuất hàng loạt sẽ là bước ngoặt quyết định quyền lực trong thị trường bộ nhớ AI trong tương lai."