Thị Trường Chất Bán Dẫn Đang Thay Đổi Nhờ AI: Cuộc Cạnh Tranh Giữa Samsung và SK Hynix Ngày Càng Gay Gắt

Trí tuệ nhân tạo (AI) đang thay đổi cấu trúc ngành công nghiệp chất bán dẫn. Chỉ vài năm trước, thị trường chất bán dẫn nhớ (memory semiconductor) chủ yếu bị chi phối bởi giá DRAM và NAND. Tuy nhiên, với sự bùng nổ của dịch vụ AI và việc xây dựng các trung tâm dữ liệu, bộ nhớ băng thông cao (HBM), đóng gói tiên tiến và chất bán dẫn tùy chỉnh (ASIC) đã trở thành những yếu tố quyết định giá trị tương lai của các công ty bán dẫn. Cuộc cạnh tranh giành quyền kiểm soát thị trường AI giữa Samsung Electronics và SK Hynix đang ngày càng trở nên khốc liệt.

Theo thông tin từ ngành công nghiệp vào ngày 24, SK Hynix hiện là người hưởng lợi lớn nhất trong thời đại AI. SK Hynix đã cung cấp HBM cho NVIDIA trước, qua đó thực sự nắm giữ quyền kiểm soát thị trường bộ nhớ AI. Bộ nhớ HBM có giá trị gia tăng cao đã trở thành linh kiện chủ chốt quyết định hiệu suất của bộ tăng tốc AI, với lợi nhuận cao hơn nhiều so với bộ nhớ truyền thống. Thực tế, tỷ trọng HBM của SK Hynix đã chiếm một phần lớn trong doanh thu từ mảng DRAM, trở thành nguồn thu nhập chính.

Đặc biệt, SK Hynix đang tăng cường sức mạnh chiếm lĩnh thị trường HBM với khách hàng lớn nhất là NVIDIA. Công ty đã nắm giữ ưu thế về khối lượng trong HBM3E và dự kiến sẽ cung cấp khối lượng lớn nhất cho NVIDIA trong HBM4. Gần đây, Giám đốc điều hành Jensen Huang đã có nhiều cuộc gặp gỡ với Chủ tịch SK Group, Chey Tae-won trong chuyến thăm Hàn Quốc, khẳng định SK Hynix là "đối tác bộ nhớ lớn nhất của NVIDIA", xác nhận mối quan hệ đối tác vững chắc giữa hai bên.

Ngược lại, Samsung Electronics đã bị đánh giá là chậm trễ trong việc đáp ứng thị trường HBM. Việc gia nhập chuỗi cung ứng của NVIDIA trong thị trường HBM3E đã bị trì hoãn, dẫn đến khoảng cách với SK Hynix. Tuy nhiên, tình hình gần đây đã thay đổi. Samsung Electronics đã bắt đầu sản xuất HBM4 đầu tiên trên thế giới và cung cấp mẫu HBM4E, đẩy nhanh tốc độ chiếm lĩnh thị trường thế hệ tiếp theo. Gần đây, doanh thu từ HBM4 đã vượt qua 1 tỷ USD chỉ sau 4 tháng xuất xưởng, và dự kiến sẽ đạt trên 10 tỷ USD vào cuối năm nay.

Chủ tịch Samsung Electronics, Lee Jae-yong, gần đây đã trực tiếp đến dây chuyền sản xuất HBM tại Cheonan để kiểm tra khả năng cạnh tranh và chất lượng sản phẩm. Nhà máy Cheonan là trung tâm chính chịu trách nhiệm về quy trình hậu kỳ và đóng gói tiên tiến của HBM. Ông đã thể hiện quyết tâm phản công trong thị trường HBM bằng cách trực tiếp quản lý năng lực sản xuất để đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng về chất bán dẫn AI.

Trong tương lai, việc chiếm lĩnh thị trường AI trên thiết bị cũng là một điểm đáng chú ý. Samsung Electronics gần đây đã công bố UFS 5.0 tối ưu hóa cho AI trên thiết bị, trở thành sản phẩm đầu tiên trong ngành. Sản phẩm này đã cải thiện tốc độ truyền dữ liệu gấp hơn hai lần và hiệu suất năng lượng hơn 40% so với các sản phẩm trước đó, nhằm hướng tới thị trường smartphone AI, thiết bị XR và wearable AI.

Trước đó, SK Hynix đã phát triển UFS 4.1 với NAND 321 lớp, cao nhất thế giới, vào năm ngoái. Sản phẩm này đã nâng cao hiệu suất năng lượng và giảm độ dày, và đã bắt đầu sản xuất hàng loạt từ quý đầu tiên của năm nay. Hiện tại, công ty đang phát triển sản phẩm thế hệ tiếp theo và có kế hoạch tích cực đáp ứng nhu cầu AI trên thiết bị, không chỉ giới hạn ở bộ nhớ cho máy chủ AI.