Trung Quốc Tăng Tốc Độ Cạnh Tranh Trong Ngành Chế Tạo Bộ Nhớ, Nhắm Đến Vị Thế 'Cường Quốc HBM' Của Hàn Quốc

Trong khi Samsung Electronics và SK Hynix tập trung vào bộ nhớ băng thông cao (HBM), một sản phẩm chủ chốt trong thời đại trí tuệ nhân tạo (AI), các công ty Trung Quốc đang thâm nhập vào thị trường DRAM và NAND flash để mở rộng thị phần.

Gần đây, hai công ty bộ nhớ lớn của Trung Quốc là Changxin Memory Technology (CXMT) và Yangtze Memory Technology (YMTC) đã bắt đầu huy động vốn thông qua việc phát hành cổ phiếu lần đầu ra công chúng (IPO), dự kiến sẽ đẩy mạnh phát triển bộ nhớ thế hệ tiếp theo như HBM. Một số ý kiến cho rằng khoảng cách công nghệ giữa Hàn Quốc và Trung Quốc trong lĩnh vực bộ nhớ hiệu suất cao đã thu hẹp còn 3-5 năm.

Theo thông tin từ ngành công nghiệp vào ngày 2 tháng 6, CXMT, công ty DRAM lớn nhất của Trung Quốc, và YMTC, công ty sản xuất NAND flash, đang thúc đẩy việc niêm yết trên thị trường chứng khoán để huy động vốn cho việc mở rộng năng lực sản xuất và nghiên cứu phát triển (R&D) bộ nhớ thế hệ tiếp theo.

CXMT đã vượt qua quy trình xem xét IPO từ Sở Giao dịch Chứng khoán Thượng Hải vào cuối tháng trước. Hiện tại, chỉ còn thủ tục phê duyệt đăng ký và dự kiến sẽ hoàn tất quy trình niêm yết trong thời gian tới. Công ty dự kiến sẽ huy động 29,5 tỷ nhân dân tệ (khoảng 65,5 nghìn tỷ đồng) từ đợt IPO này, trở thành đợt huy động vốn lớn thứ hai sau công ty sản xuất bán dẫn SMIC vào năm 2020.

CXMT đã nâng thị phần toàn cầu của mình lên khoảng 8%, trở thành công ty đứng thứ tư, đe dọa đến vị thế của bộ ba Samsung Electronics, SK Hynix và Micron. Doanh thu của công ty trong quý đầu tiên đạt 50,8 tỷ nhân dân tệ (khoảng 113 nghìn tỷ đồng), tăng 719% so với cùng kỳ năm trước. Sự tăng trưởng nhanh chóng này được thúc đẩy bởi chính sách nội địa hóa chuỗi cung ứng của các nhà sản xuất smartphone Trung Quốc và chiến lược giá thấp.

YMTC cũng đang gia tăng sự hiện diện trong thị trường NAND. Công ty đã phát triển công nghệ NAND flash 3D với hơn 200 lớp, nhắm đến thị trường ổ cứng thể rắn (SSSD) và thiết bị lưu trữ di động. Bất chấp các quy định xuất khẩu từ Mỹ, YMTC đang nâng cao khả năng cạnh tranh công nghệ dựa trên nhu cầu lớn trong nước. Công ty cũng đang chuẩn bị cho việc niêm yết trong năm nay.

Sau khi IPO, cả hai công ty dự kiến sẽ bắt đầu phát triển HBM. Họ dự định sẽ đầu tư số vốn huy động được vào nghiên cứu phát triển trong lĩnh vực bộ nhớ cao cấp cần thiết cho cơ sở hạ tầng AI. Đặc biệt, chính phủ Trung Quốc đã yêu cầu CXMT tăng cường khả năng sản xuất HBM. Công ty dự kiến sẽ bắt đầu sản xuất HBM3 trong năm nay.

Có những phân tích cho rằng các công ty bộ nhớ Trung Quốc có thể theo kịp công nghệ HBM của Hàn Quốc trong vòng 3 năm tới. Điều này là do Trung Quốc đang đầu tư mạnh vào vốn và thời gian cho R&D, nhanh chóng thu hẹp khoảng cách công nghệ. Hiện tại, chiến lược của họ là mở rộng quy mô sản xuất và củng cố nền tảng lợi nhuận trong thị trường DRAM và NAND, sau đó tiến vào thị trường bộ nhớ hiệu suất cao.

Ông An Ki-hyun, Giám đốc điều hành Hiệp hội Công nghiệp Bán dẫn Hàn Quốc, cho biết: "Các công ty bộ nhớ Trung Quốc sẽ đạt được trình độ công nghệ HBM tương tự như Samsung Electronics và SK Hynix trong vòng 3-5 năm tới" và nhấn mạnh rằng "khoảng cách công nghệ HBM giữa Hàn Quốc và Trung Quốc sẽ ngày càng thu hẹp". Ông cũng lưu ý rằng "Trung Quốc có môi trường nghiên cứu phát triển không bị giới hạn về thời gian, trong khi Hàn Quốc bị hạn chế bởi luật lao động" và nhấn mạnh rằng "Hàn Quốc cũng cần tạo ra môi trường thuận lợi cho nghiên cứu phát triển".