Thứ Ba, ngày 05 tháng 06 năm 2026
Samsung Electronics công bố mẫu HBM5, định hướng công nghệ bộ nhớ AI thế hệ tiếp theo

Samsung Electronics công bố mẫu HBM5, định hướng công nghệ bộ nhớ AI thế hệ tiếp theo

SEONGJUN JO 14:24 02-06-2026
Công bố công nghệ cấu trúc và quản lý nhiệt HBM5 Hoàn tất xác minh công nghệ HPB trên HBM4E
Ông Song Jae-hyuk, Giám đốc công nghệ (CTO) của bộ phận bán dẫn Samsung Electronics, đang giải thích về mẫu mô hình thực tế của bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ 8 (HBM5) được công bố lần đầu tiên trên thế giới tại Computex 2026 diễn ra ở Đài Bắc, Đài Loan vào ngày 2 tháng 6 năm 2026.
Ông Song Jae-hyuk, Giám đốc công nghệ (CTO) của bộ phận bán dẫn (DS) Samsung Electronics, đang giải thích về mẫu mô hình thực tế của bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ 8 (HBM5) được công bố lần đầu tiên trên thế giới tại 'Computex 2026'. [Ảnh=Samsung Electronics]

Samsung Electronics đã công bố định hướng công nghệ bộ nhớ băng thông cao thế hệ tiếp theo (HBM) HBM5, thể hiện quyết tâm chiếm lĩnh thị trường bộ nhớ AI.

Vào ngày 2 tháng 6, Samsung Electronics đã lần đầu tiên giới thiệu mẫu HBM5 và công nghệ quản lý nhiệt thế hệ tiếp theo tại triển lãm Computex 2026 ở Đài Bắc, Đài Loan. Ông Song Jae-hyuk, Giám đốc công nghệ (CTO) của bộ phận DS, nhấn mạnh rằng khả năng cung cấp giải pháp tổng thể bao gồm bộ nhớ, gia công, logic và đóng gói sẽ trở thành yếu tố cạnh tranh chính trong kỷ nguyên AI.

Điểm cốt lõi trong định hướng công nghệ HBM5 mà Samsung đưa ra là quản lý nhiệt. Công ty đã giới thiệu cấu trúc sản phẩm áp dụng công nghệ HPB (Heat Path Block) nhằm giảm thiểu vấn đề phát sinh nhiệt trong bộ nhớ AI hiệu suất cao. HPB là công nghệ được thiết kế để phân tán và phát tán nhiệt một cách hiệu quả trong khu vực PHY (Physical Layer).

Ông Song cho biết HBM5 của Samsung có ưu điểm là bổ sung một đường dẫn truyền nhiệt riêng, giúp giảm điện trở nhiệt và nâng cao độ ổn định hoạt động. Samsung cũng đã hoàn tất việc triển khai và xác minh công nghệ HPB trên sản phẩm HBM4E, khẳng định rằng không chỉ cấu trúc thiết kế mà còn độ tin cậy và ổn định của gói sản phẩm cũng đã được xác nhận.

Samsung đã công bố kế hoạch áp dụng die cơ sở 2 nanomet cho HBM5. Công ty dự định kết hợp khả năng của bộ nhớ, gia công và đóng gói để nâng cao sức cạnh tranh công nghệ trong thị trường HBM thế hệ tiếp theo.

Tại triển lãm lần này, Samsung cũng đã giới thiệu wafer và chipset HBM4E. HBM4E của Samsung là sản phẩm kết hợp giữa die DRAM 1c tiên tiến nhất và die cơ sở 4 nanomet do chính công ty sản xuất. Vào ngày 29 tháng 5, sản phẩm đã hoàn tất việc xuất mẫu đầu tiên và hoạt động ổn định với tốc độ 14Gbps trên mỗi chân, có thể đạt tối đa 16Gbps. Băng thông tối đa đạt khoảng 4TB/s.

Samsung cũng nhấn mạnh danh mục bộ nhớ và lưu trữ hỗ trợ nền tảng AI thế hệ tiếp theo 'Vera Rubin' của Nvidia. Tại không gian triển lãm, hệ thống Vera Rubin được trang bị sản phẩm của Samsung đã được giới thiệu. Công ty khẳng định rằng họ có các sản phẩm liên quan như HBM4, SOCAMM2 và PM1763.

Theo dự báo của công ty nghiên cứu thị trường Omdia, quy mô thị trường HBM sẽ mở rộng hơn 3 lần, từ khoảng 58,9 tỷ USD vào năm 2026 lên khoảng 198,3 tỷ USD vào năm 2029.

Ông Song cho biết: "Chúng tôi dự định tiếp tục tăng cường sức cạnh tranh công nghệ bộ nhớ thế hệ tiếp theo dựa trên sự hợp tác với các công ty toàn cầu, bao gồm cả Nvidia."



* Bài viết này được dịch tự động bằng AI.