Samsung Electronics tiên phong cung cấp mẫu HBM4E, khôi phục vị thế sau khi phát triển D램 1c

Samsung Electronics đã bắt đầu củng cố vị thế công nghệ của mình trên thị trường bộ nhớ băng thông cao thế hệ tiếp theo (HBM). Sau khi được phê duyệt sản xuất D램 1c vào giữa năm ngoái, công ty đã kết nối việc xuất khẩu sản phẩm HBM4 (thế hệ thứ 5) và cung cấp mẫu HBM4E (thế hệ thứ 6) 12 tầng, mở rộng vị thế của mình trong thị trường bộ nhớ AI.

Theo thông tin từ ngành công nghiệp vào ngày 29, Samsung Electronics đã thông báo rằng họ đã xuất khẩu mẫu HBM4E 12 tầng đến khách hàng toàn cầu. Chỉ sau vài tháng kể từ khi xuất khẩu HBM4, Samsung đã bắt đầu cung cấp mẫu sản phẩm tiếp theo, cho thấy công ty đang thay đổi xu hướng kể từ thế hệ HBM4 sau khi gặp khó khăn trong cuộc cạnh tranh HBM3E.

Điểm mấu chốt của HBM4E là sự kết hợp giữa D램 1c và logic die 4nm. Samsung đã áp dụng quy trình D램 thế hệ thứ 6 10nm cho D램 1c vào HBM4, nâng cao tỷ lệ sản xuất và độ ổn định hiệu suất, và đã tiếp tục áp dụng nền tảng này cho HBM4E. HBM không chỉ phụ thuộc vào công nghệ xếp chồng D램 mà còn vào khả năng cạnh tranh của quy trình vi mô của từng die D램, vì vậy việc đảm bảo D램 1c đã trở thành điểm khởi đầu cho sức cạnh tranh của các sản phẩm sau HBM4.

Trước đó, vào ngày 30 tháng 6 năm ngoái, chúng tôi đã đưa tin độc quyền rằng Samsung đã hoàn tất phê duyệt sản xuất D램 1c và bắt đầu cuộc cạnh tranh HBM4. Khi đó, ngành công nghiệp đã nhận định rằng việc phát triển D램 1c không chỉ đơn thuần là chuyển đổi quy trình D램 thông dụng mà còn là yếu tố chính trong việc sản xuất die cho HBM4. Thực tế, Samsung đã thành công trong việc xuất khẩu HBM4 và giờ đây cung cấp mẫu HBM4E cho khách hàng, đẩy nhanh lộ trình công nghệ của mình.

Sản phẩm HBM4E 12 tầng có dung lượng 48GB và hoạt động ổn định với tốc độ 14Gbps. Tốc độ tối đa có thể lên tới 16Gbps. Băng thông theo tiêu chuẩn một tầng đạt khoảng 3,6TB mỗi giây. Samsung cho biết họ đã cải thiện hiệu suất năng lượng lên 16% so với sản phẩm trước đó thông qua tối ưu hóa thiết kế và quy trình, đồng thời nâng cao đặc tính kháng nhiệt hơn 14%.

Tuy nhiên, việc xuất khẩu mẫu không đồng nghĩa với việc ngay lập tức chuyển sang sản xuất hàng loạt. HBM cần phải trải qua quá trình chứng nhận của khách hàng và kiểm tra theo đơn vị đóng gói trước khi có thể chuyển đổi thành khối lượng cung cấp thực tế. Đặc biệt, HBM cho bộ tăng tốc AI không chỉ được đánh giá dựa trên hiệu suất mà còn phải xem xét độ ổn định trong thời gian dài, quản lý nhiệt, hiệu suất năng lượng và độ hoàn thiện của đóng gói.
 
Ngành công nghiệp nhận định rằng kinh nghiệm của Samsung trong việc đảm bảo tỷ lệ sản xuất HBM4 và cung cấp theo lịch trình của khách hàng sẽ có tác động tích cực đến việc chuyển đổi sang sản xuất HBM4E. Vì cả HBM4 và HBM4E đều dựa trên D램 1c và logic die 4nm, nên sự ổn định quy trình và kinh nghiệm đóng gói trước đó có thể được áp dụng cho các sản phẩm tiếp theo.

Samsung đang áp dụng quản lý tỷ lệ sản xuất D램 1c và kinh nghiệm liên kết die 4nm từ quy trình sản xuất HBM4 vào giai đoạn xác minh của khách hàng HBM4E, và được cho là đang tập trung vào việc điều chỉnh lịch trình chuyển đổi sang sản xuất hàng loạt theo lộ trình của khách hàng.

Samsung dự định mở rộng danh mục sản phẩm từ HBM4E 12 tầng sang HBM4E 32GB 8 tầng và HBM4E 64GB 16 tầng. Khi nhu cầu về băng thông và dung lượng bộ nhớ trong thị trường máy chủ AI và bộ tăng tốc ngày càng tăng, HBM4E có khả năng trở thành sản phẩm chủ chốt cho cơ sở hạ tầng AI thế hệ tiếp theo.

Điểm mạnh của Samsung nằm ở cấu trúc kinh doanh của họ, bao gồm bộ nhớ, sản xuất chip, hệ thống LSI và đóng gói tiên tiến. Trong các sản phẩm sau HBM4, chỉ dựa vào hiệu suất của D램 không còn đủ để giải thích sức cạnh tranh, mà khả năng đáp ứng thiết kế tùy chỉnh của khách hàng cùng với die cơ sở và đóng gói cũng trở nên quan trọng hơn.

Ngành công nghiệp cho rằng Samsung đã phần nào khôi phục hình ảnh chậm trễ của mình trong HBM3E ở thế hệ HBM4. Đặc biệt, việc ổn định sớm D램 1c đã dẫn đến việc sản xuất HBM4 và xuất khẩu mẫu HBM4E, cho thấy rằng lần xuất khẩu này có ý nghĩa lớn hơn là chỉ đơn thuần là thông báo sản phẩm, mà còn là bước chuyển giao chiến lược HBM thế hệ tiếp theo của Samsung sang giai đoạn cung cấp thực tế.

Ông Hwang Sang-jun, Phó Chủ tịch phụ trách phát triển của bộ phận bộ nhớ Samsung Electronics, cho biết: "Sau thành công trong sản xuất HBM4, việc cung cấp mẫu HBM4E cũng đã được thực hiện một cách suôn sẻ, khẳng định vị thế lãnh đạo công nghệ độc quyền của Samsung trên thị trường. Chúng tôi sẽ tiếp tục dẫn dắt sự phát triển mạnh mẽ của thị trường bộ nhớ AI toàn cầu dựa trên khoảng cách công nghệ vượt trội và đầu tư hạ tầng sản xuất tiên phong."



* Bài viết này được dịch tự động bằng AI.

• #D램 1c
• #logic die
• #HBM4E