Lãnh đạo bộ nhớ AI từ HBM4, tăng cường với việc xuất xưởng mẫu chip thế hệ thứ 6
Samsung Electronics đã cung cấp mẫu bộ nhớ HBM4E 12 tầng cho các khách hàng toàn cầu, đánh dấu bước tiến trong việc sản xuất bộ nhớ cho các bộ tăng tốc AI thế hệ tiếp theo. Việc xuất xưởng mẫu HBM4E này diễn ra sau khi Samsung đã bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM4, cho thấy nỗ lực của công ty trong việc đảo ngược xu hướng đã bị tụt lại phía sau so với HBM3E từ thế hệ HBM4 trở đi.
Theo thông tin từ ngành công nghiệp vào ngày 29 tháng 5, Samsung Electronics đã bắt đầu xuất xưởng mẫu HBM4E 12 tầng đầu tiên trên thế giới. HBM4E là sản phẩm kế nhiệm của HBM4, đóng vai trò quan trọng trong hiệu suất tính toán và hiệu quả năng lượng của các vi mạch AI. Khi nhu cầu về HBM hiệu suất cao gia tăng do sự phát triển của các mô hình ngôn ngữ quy mô lớn và dịch vụ AI suy diễn, cuộc cạnh tranh giành khách hàng cũng trở nên khốc liệt hơn.
Sản phẩm này sử dụng chip DRAM 1c và die logic 4nm. Samsung cho biết họ đã đảm bảo được độ ổn định trong quy trình sản xuất và khả năng sản xuất hàng loạt. Tốc độ hoạt động trên mỗi chân đạt 14Gbps và có thể đạt tối đa 16Gbps. Băng thông theo tiêu chuẩn của một stack đơn là 3,6TB mỗi giây.
Với dung lượng 48GB cho 12 tầng, Samsung dự kiến sẽ mở rộng dòng sản phẩm lên 32GB cho 8 tầng và 64GB cho 16 tầng để đáp ứng nhu cầu của khách hàng. Khi các công ty tăng tốc độ và quy mô mô hình AI, HBM không chỉ là một linh kiện đơn giản mà còn trở thành công nghệ then chốt ảnh hưởng đến hiệu suất hệ thống.
Công ty nghiên cứu thị trường TrendForce đã phân tích rằng vào đầu năm nay, trong giai đoạn xác minh HBM4, Samsung đã vượt trội về độ ổn định nhờ cải tiến quy trình sản xuất, và với sự gia tăng nhu cầu AI, các khách hàng chính có khả năng sẽ sử dụng cả Samsung, SK Hynix và Micron để đảm bảo chuỗi cung ứng.
Điểm khác biệt mà Samsung nhấn mạnh là khả năng cung cấp giải pháp trọn gói kết hợp giữa bộ nhớ, sản xuất chip, hệ thống LSI và đóng gói tiên tiến. HBM4E được trang bị DRAM 1c và die logic 4nm tự sản xuất. Bởi vì HBM là sản phẩm yêu cầu sự kết hợp giữa hiệu suất của các ô nhớ và chất lượng của die cơ sở và đóng gói, Samsung tự hào về cấu trúc doanh nghiệp bán dẫn toàn diện của mình.
Hiệu quả năng lượng và cải thiện nhiệt độ cũng là những điểm quan trọng. Samsung cho biết hiệu suất năng lượng của sản phẩm HBM4E 12 tầng đã được cải thiện 16% so với thế hệ trước và tính năng kháng nhiệt cũng đã tăng hơn 14%. Trong các trung tâm dữ liệu AI, chi phí năng lượng và quản lý nhiệt đang trở thành gánh nặng chính, vì vậy không chỉ tốc độ hoạt động mà hiệu quả năng lượng cũng trở thành tiêu chí quan trọng trong đánh giá của khách hàng.
Samsung đã bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM4 vào tháng 2 và hiện đang mở rộng cung cấp. Cả HBM4 và HBM4E đều dựa trên sự kết hợp giữa DRAM 1c và die cơ sở 4nm, do đó, trong ngành công nghiệp, có nhiều ý kiến cho rằng khả năng chuyển đổi sang sản xuất hàng loạt của HBM4E là rất cao.
Yếu tố quyết định là việc chứng nhận của khách hàng và sự mở rộng khối lượng thực tế. Thị trường HBM bị ảnh hưởng nhiều bởi việc các khách hàng lớn trong lĩnh vực vi mạch AI có chấp nhận công nghệ hay không. Việc Samsung đẩy nhanh việc cung cấp mẫu HBM4E sau khi xuất xưởng HBM4 cho thấy khả năng có sự thay đổi trong cấu trúc cạnh tranh từ thế hệ HBM4 trở đi.
Hwang Sang-jun, Phó Chủ tịch bộ phận kinh doanh bộ nhớ của Samsung Electronics, cho biết: "Sau khi thành công trong sản xuất hàng loạt HBM4, việc cung cấp mẫu HBM4E cũng được thực hiện một cách suôn sẻ, khẳng định vị thế lãnh đạo công nghệ của Samsung trên thị trường. Chúng tôi sẽ dẫn đầu sự phát triển của thị trường bộ nhớ AI toàn cầu dựa trên khoảng cách công nghệ vượt trội và đầu tư cơ sở hạ tầng sản xuất tiên phong."
* Bài viết này được dịch tự động bằng AI.
SEONGJUN JO
critic@ajunews.com
© Bản quyền thuộc về Thời báo Kinh tế AJU & www.ajunews.com: Việc sử dụng các nội dung đăng tải trên vietnam. kyungjeilbo.com phải có sự đồng ý bằng văn bản của Aju News Corporation.