Samsung Electronics ra mắt mẫu HBM4E 12 tầng, củng cố vị thế trong thị trường bộ nhớ AI

Samsung Electronics đã cung cấp mẫu bộ nhớ băng thông cao thế hệ tiếp theo (HBM) HBM4E 12 tầng cho các khách hàng toàn cầu. Sau khi bắt đầu xuất xưởng HBM4 vào tháng 2, công ty tiếp tục cung cấp HBM4E, củng cố vị thế công nghệ trong thị trường bộ nhớ AI.

Theo thông tin từ ngành công nghiệp vào ngày 29, Samsung Electronics đã bắt đầu xuất xưởng mẫu HBM4E 12 tầng đầu tiên trên thế giới. Sản phẩm này sử dụng chip DRAM 1c và chip logic 4nm, hoạt động ổn định với tốc độ 14Gbps trên mỗi chân và có thể đạt tối đa 16Gbps. Băng thông của một ngăn xếp đơn đạt khoảng 3,6TB mỗi giây.

Samsung Electronics cho biết, sản phẩm HBM4E 12 tầng đã cải thiện hiệu suất năng lượng lên 16% so với phiên bản trước và cải thiện đặc tính kháng nhiệt hơn 14%. Dung lượng của sản phẩm là 48GB và công ty dự kiến sẽ mở rộng dòng sản phẩm với các phiên bản 32GB 8 tầng và 64GB 16 tầng trong tương lai.

Công ty nghiên cứu thị trường TrendForce trước đó đã đánh giá rằng Samsung Electronics đang dẫn đầu trong việc cải thiện tính ổn định của quy trình sản xuất HBM4, do đó, việc xuất xưởng mẫu HBM4E này được coi là dấu hiệu cho thấy Samsung đang tiếp tục phục hồi vị thế dẫn đầu từ thế hệ HBM4. Đặc biệt, công ty không chỉ kiểm soát tỷ lệ sản xuất mà còn dẫn đầu trong cuộc cạnh tranh về tốc độ, củng cố niềm tin với các khách hàng chủ chốt.



* Bài viết này được dịch tự động bằng AI.

• #Samsung
• #AI
• #HBM4E