SK Hynix áp dụng công nghệ 1c nano cho HBM4E, dự kiến sản xuất hàng loạt năm 2027

SK Hynix đang tăng cường cạnh tranh bằng cách áp dụng công nghệ 1c nano cho bộ nhớ HBM4E thế hệ mới.

Trong cuộc họp báo cáo kết quả quý I vào ngày 23, công ty cho biết đang phát triển HBM4E dựa trên sự hợp tác chặt chẽ với khách hàng, dự kiến cung cấp mẫu vào nửa cuối năm và sản xuất hàng loạt vào năm 2027. Công ty sẽ áp dụng công nghệ 1c nano để đáp ứng yêu cầu hiệu suất của khách hàng.

SK Hynix nhấn mạnh sự trưởng thành của công nghệ này, cho biết 1c nano đã bắt đầu sản xuất hàng loạt từ cuối năm 2025 và đã chứng minh hiệu suất trên thị trường. Công ty cũng đạt được mức độ ổn định về tỷ lệ sản xuất và năng lực sản xuất hàng loạt.

Họ cam kết tiếp tục phát triển công nghệ và kiểm chứng khách hàng để đảm bảo phát triển kịp thời, sản xuất ổn định và chất lượng cao, duy trì vị thế dẫn đầu công nghệ.

* Bài viết này được dịch tự động bằng AI.

• #1c
• #HBM
• #SK Hynix